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厂商型号

2SA1419S-TD-H 

产品描述

Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 4-Pin(3+Tab) PCP T/R

内部编号

277-2SA1419S-TD-H

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:6000
最小起订量:1
美国加州
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2SA1419S-TD-H产品详细规格

规格书 2SA1419S-TD-H datasheet 规格书
2SA1419/2SC3649
2SA1419S-TD-H datasheet 规格书
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic)(最大) 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 140 @ 100mA, 5V
功率 - 最大 500mW
频率转换 120MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 PCP
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 1.5
最小直流电流增益 140@100mA@5V
最高工作温度 150
标签 Tab
最低工作温度 -55
包装高度 1.5
安装 Surface Mount
最大功率耗散 1500
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 120(Typ)
封装 Tape and Reel
PCB 3
每个芯片的元件数 1
包装宽度 2.5
供应商封装形式 PCP
包装长度 4.5
最大集电极发射极电压 160
最大集电极基极电压 180
类型 PNP
引脚数 4
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 PCP
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 140 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 500 mW
直流集电极/增益hfe最小值 100 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 160 V
安装风格 SMD/SMT
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1.5 A
系列 2SA1419
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 500 mW

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